Quand on parle de la bataille des semi-conducteurs entre la Chine et le reste du monde, on pense surtout aux processeurs et aux puces graphiques pour l’intelligence artificielle.
Mais il y a un autre composant absolument partout dans nos appareils : la mémoire.
Et sur ce terrain, la Chine vient de franchir une nouvelle étape.
CXMT annonce ce 20 septembre que sa plateforme DRAM de cinquième génération est officiellement entrée en production de masse.
CXMT veut rattraper Samsung, SK Hynix et Micron
Le marché mondial de la DRAM est actuellement dominé par trois géants : Samsung, SK Hynix et Micron.
La Chine essaie depuis plusieurs années de réduire sa dépendance envers ces fabricants.
CXMT, pour ChangXin Memory Technologies, est au centre de cette stratégie.
L’entreprise fabrique de la DRAM, c’est-à-dire la mémoire que l’on retrouve notamment dans nos PC, smartphones et serveurs.
Jusqu’ici, les fabricants chinois accusaient un retard technologique important face aux leaders du secteur.
Ce retard ne disparaît évidemment pas aujourd’hui.
Mais passer une nouvelle génération technologique en production de masse est beaucoup plus important que présenter un prototype lors d’un salon.
Une gravure plus fine sans les machines les plus avancées
Le détail technique le plus intéressant concerne la manière dont CXMT fabrique ses nouvelles puces.
L’entreprise utilise une technique appelée quadruple patterning.
Pour simplifier, le constructeur répète plusieurs étapes de lithographie afin de créer des motifs beaucoup plus fins sur le silicium.
CXMT annonce avoir réduit l’espacement de certaines structures mémoire à environ 11,95 nanomètres.
Pourquoi se compliquer autant la vie ?
Parce que les restrictions américaines limitent l’accès de la Chine à certaines machines de lithographie parmi les plus avancées au monde.
Les fabricants chinois cherchent donc des moyens d’obtenir des structures plus fines avec les équipements dont ils disposent.
C’est plus compliqué, mais ça fonctionne suffisamment bien pour passer aujourd’hui à la production industrielle.
Des puces LPDDR5X de 24 Gb
CXMT a également présenté deux nouvelles puces LPDDR5X de 24 gigabits.
La LPDDR5X est une mémoire rapide et relativement économe en énergie, particulièrement adaptée aux smartphones et autres appareils mobiles.
Ces nouvelles puces offrent 50 % de capacité supplémentaire par rapport aux modèles de 16 Gb.
Attention à ne pas confondre gigabit et gigaoctet.
Une puce de 24 Gb correspond à 3 Go de capacité. ( c’est le même principe quand tu as une connexion Internet à la maison de 100 Mb/s alors que tu télécharges à 12 Mo/s )
Les fabricants peuvent évidemment en combiner plusieurs dans un même appareil.
CXMT affirme produire beaucoup plus de puces par wafer
Autre progrès annoncé : la quantité de puces obtenues à partir d’un même wafer de silicium.
CXMT affirme que sa nouvelle plateforme permet d’augmenter d’au moins 50 % le nombre brut de dies produits par wafer par rapport à sa génération précédente.
Si les rendements suivent, c’est extrêmement important.
Produire davantage de puces sur une même plaque permet potentiellement de réduire le coût de fabrication de chaque puce.
Et sur un marché aussi compétitif que celui de la mémoire, quelques dollars de différence peuvent complètement changer la donne.
Est-ce une menace immédiate pour Samsung ?
Pas encore.
Samsung, SK Hynix et Micron possèdent énormément d’expérience, des capacités de production gigantesques et surtout des technologies très avancées.
Le marché de la mémoire évolue aussi extrêmement vite avec la montée en puissance de la HBM, la mémoire à très haute bande passante utilisée notamment par les accélérateurs IA.
Mais la progression de CXMT devient difficile à ignorer.
Après Huawei dans les accélérateurs IA et SMIC dans la fabrication de semi-conducteurs, la Chine construit progressivement une chaîne technologique beaucoup plus indépendante.
Et cette fois, ce n’est plus une puce expérimentale annoncée pour dans trois ans.
La production de masse a commencé.
Plus d’infos sur le Site Reuters